SEM3200是一款高性能、应用广泛的通用型钨灯丝扫描电子显微镜。拥有出色的成像质量、可兼容低真空模式、在不同的视场范围下均可得到高分辨率图像。
大景深，成像富有立体感。丰富的扩展性，助您在显微成像的世界中尽情探索。
丰富的扩展性 SE\BSE\EDS\EBSD等
光学导航 可快速定位目标样品和感兴趣区域
*大图拼接 可实现全自动的采图和拼接，展示超大视野画面
图像混合成像（SE+BSE） 在一个图像中观察到样品的成分和表面信息
双阳极结构 双阳极结构设计，提升了低电压下的分辨率和成像质量
*低真空模式 在低真空下提供样品表面细节和形貌，软件一键切换真空状态
（*为选配件）
产品特点（*为选配件）
碳材料样品，低电压下，穿透深度较小，可以获取样品表面真实形貌，细节更丰富。 毛发样品，在低电压下，电子束辐照损伤减小，同时消除了荷电效应。 过滤纤维管材料，导电性差，在高真空下荷电明显，在低真空下，无需镀膜即可实现对不导电样品的直接观察。 生物样品，采用大视场观察，能够轻松获得瓢虫整体形貌及头部结构细节，展现跨尺度分析。 想看哪里点哪里，导航更轻松 可通过双击移动、鼠标中键拖动、框选放大，进行快捷导航 采取多维度的防碰撞方案： 直观反映整个视野的像散程度，通过鼠标点击清晰处，可快速调节像散至最佳。 一键聚焦，快速成像。 一键消像散，提高工作效率。 一键自动亮度对比度，调出灰度合适图像。 SEM3200软件支持一键切换SE和BSE的混合成像。可同时观察到样品的形貌信息和 拖动一条线，图像立刻“摆正角度”。 扫描电子显微镜不仅局限于表面形貌的观察，更可以进行样品表面的微区成分分析。 背散射电子成像模式下，荷电效应明显减弱，并且可以获得样品表面更多的成分信息。 镀层样品： 钨钢合金样品： 探测器设计精巧，灵敏度高，采用4分割设计，无需倾斜样品，可获得不同方向的阴影像以及成分分布图像。 四个单通道的阴影像 成分像 LED小灯珠能谱面分析结果。 钨灯丝电镜束流大，完全满足高分辨EBSD的测试需求，能够对金属、陶瓷、矿物等多晶材料进行晶体取向标定以及晶粒度大小等分析。低电压
低真空
大视场
导航&防碰撞
光学导航
标配仓内摄像头，可拍摄高清样品台照片，快速定位样品。
手势快捷导航
如框选放大：在低倍导航下，获得样品的大视野情况，可快速框选您感兴趣的样品区域，提高工作效率。
防碰撞技术
1. 手动输入样品高度，精准控制样品与物镜下端距离，防止发生碰撞；
2. 基于图像识别和动态捕捉技术，运动过程中对仓内的画面进行实时监测；
3.*硬件防碰撞，可在碰撞一瞬间停止电机，减少碰撞损伤。
特色功能
智能辅助消像散
自动聚焦
自动消像散
自动亮度对比度
多种信息同时成像
成分信息。
快速图像旋转
丰富拓展性
SEM3200接口丰富，除支持常规的二次电子探测器（ETD）、背散射电子探测器（BSED）、X射线能谱仪（EDS）外，也预留了诸多接口，如电子背散射衍射（EBSD）、阴极射线（CL）等探测器都可以在SEM3200上进行集成。背散射电子探测器
二次电子成像和背散射电子成像对比
四分割背散射电子探测器——多通道成像
能谱
电子背散射衍射
该图为Ni金属标样的EBSD反极图，能够识别晶粒大小和取向，判断晶界和孪晶，对材料组织结构进行精确判断。
应用案例
产品参数
型号 SEM3200A SEM3200 电子光学系统 电子枪类型 预对中型发叉式钨灯丝电子枪 分辨率 高真空 3 nm @ 30 kV（SE） 4 nm @ 30 kV（BSE） 8 nm @ 3 kV（SE） *低真空 3 nm @ 30 kV（SE） 放大倍率 1-300,000x（底片倍率） 1-1000,000x（屏幕倍） 加速电压 0.2 kV～30 kV 成像系统 探测器 二次电子探测器（ETD） 背散射电子探测器、低真空二次电子探测器、*能谱仪EDS等 图像保存格式 TIFF、JPG、PNG 真空系统 真空模式 高真空 光学导航 低真空 光学导航 控制方式 全自动控制 涡轮分子泵 ≥ 240 L/S 机械泵 200 L/min （50 Hz） 样品室 摄像头 光学导航 样品仓内监控 样品台配置 三轴自动 五轴自动 行程 X: 120 mm X: 120 mm Y: 115 mm Y: 115 mm Z: 50 mm Z: 50 mm / R: 360° / T: -10°～ +90° 软件 语言 中文 操作系统 Windows 导航 光学导航、手势快速导航 自动功能 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 特色功能 智能辅助消像散、*大图拼接（选配软件） 安装要求 房间 长 ≥ 3000 mm，宽 ≥ 4000 mm，宽 ≥ 4000 mm 温度 20 ℃～25 ℃ 湿度 ≤ 50 % 电气参数 电源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA
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